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|---|---|
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| 10+ | CNY4.370 (CNY4.9381) |
| 100+ | CNY3.960 (CNY4.4748) |
| 500+ | CNY2.760 (CNY3.1188) |
| 1000+ | CNY2.590 (CNY2.9267) |
| 5000+ | CNY2.540 (CNY2.8702) |
包装规格:每个
最低: 1
多件: 1
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品項附註
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产品概述
IRF520NPBF是一款N沟道HEXFET®功率MOSFET,具有极低的单位硅面积导通电阻和快速开关性能。结合HEXFET功率MOSFET闻名的高速开关特性与坚固设计,为设计者提供适用于多种应用场景的高效可靠器件。
- 动态dv/dt额定值
- 完全符合雪崩额定值
- 先进工艺技术
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
9.7A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
47W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.2ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.002041

