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IRF3205ZPBF
功率场效应管, MOSFET, 汽车, N通道, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, 通孔
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|---|---|
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| 10+ | CNY5.790 (CNY6.5427) |
| 100+ | CNY5.450 (CNY6.1585) |
| 500+ | CNY5.060 (CNY5.7178) |
| 1000+ | CNY4.720 (CNY5.3336) |
| 5000+ | CNY4.480 (CNY5.0624) |
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产品概述
IRF3205ZPBF 是一款HEXFET® N沟道功率MOSFET, 采用最新的处理技术, 可实现极低的导通电阻。该设计具有175°C结温, 快速开关速度, 优秀的重复性雪崩额定值。这些功能使该设计成为高可靠性设备, 适用于多种应用。
- 先进的工艺技术
- 重复性雪崩可达Tjmax
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
110A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
170W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
55V
漏源接通状态电阻
6500µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002