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IRF3205STRLPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY20.710 | CNY20.71 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY20.710 (CNY23.4023) |
| 10+ | CNY12.820 (CNY14.4866) |
| 50+ | CNY10.970 (CNY12.3961) |
| 100+ | CNY9.110 (CNY10.2943) |
| 250+ | CNY8.930 (CNY10.0909) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF3205STRLPBF
库存编号
复卷2467988RL
切割卷带2467988
也称为SP001576758
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds55V
电流, Id 连续110A
漏源接通状态电阻8000µohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散200W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
IRF3205STRLPBF 是一款HEXFET® 单N沟道功率MOSFET, 采用先进的技术, 具有极低的单位面积导通电组。这种性能结合快速开关速度, 以及坚固耐用的器件设计, 提供极高效率和可靠性。表面安装封装能够容纳HEX-4尺寸。该器件提供卓越的功率性能和极低的导通电阻。低内部连接电阻低, 适用于大电流应用, 在典型表面安装应用内, 可达2W功率耗散。
- 先进的工艺技术
- 动态dV/dt额定值
- 完全雪崩认证
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
110A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
200W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
55V
漏源接通状态电阻
8000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000283