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IRF3205PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, 通孔
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY9.800 (CNY11.074) |
| 100+ | CNY6.410 (CNY7.2433) |
| 500+ | CNY5.090 (CNY5.7517) |
| 1000+ | CNY4.130 (CNY4.6669) |
| 5000+ | CNY3.970 (CNY4.4861) |
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产品概述
IRF3205PBF是一款HEXFET® N沟道功率MOSFET, 具有极低的导通电阻和快速开关性能。HEXFET®功率MOSFET采用先进的处理技术, 以实现极低的导通电阻。这一特点加上HEXFET功率MOSFET的快速开关速度, 以及坚固耐用的器件设计, 为设计人员提供了一种极其高效和可靠的器件, 可用于多种应用。
- 动态dv/dt额定值
- 雪崩级别
- 快速开关
- ±20V 栅-源电压
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
110A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
200W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
55V
漏源接通状态电阻
8000µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
HEXFET Series
湿气敏感性等级
-
IRF3205PBF 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002041