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IRF200B211
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 12 A, 0.17 ohm, TO-220AB, 通孔
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| 500+ | CNY7.210 (CNY8.1473) |
| 1000+ | CNY7.060 (CNY7.9778) |
| 5000+ | CNY6.910 (CNY7.8083) |
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
12A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
80W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.17ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4.9V
针脚数
3引脚
产品范围
StrongIRFET, HEXFET
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003266