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IRF1324PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 24 V, 195 A, 1500 µohm, TO-220AB, 通孔
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY25.520 (CNY28.8376) |
| 10+ | CNY12.880 (CNY14.5544) |
| 100+ | CNY11.660 (CNY13.1758) |
| 500+ | CNY10.700 (CNY12.091) |
| 1000+ | CNY9.880 (CNY11.1644) |
包装规格：每个
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多件: 1
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产品概述
IRF1324PBF 是一款HEXFET® N沟道功率MOSFET, 增强栅极, 雪崩, 动态dV/dt耐用性能。适用于高效同步整流, 用于SMPS, 硬开关和高频电路。
- 完全表征电容值与雪崩SOA
- 增强型主体二极管dV/dt与di/dt功能
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
195A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
300W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
24V
漏源接通状态电阻
1500µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536