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IRF1010NPBF 的替代之选
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产品概述
IRF1010NPBF 是一款HEXFET® N沟道功率MOSFET, 采用先进的处理技术, 实现极低的导通电阻。这款器件具有快开关速度和坚固耐用设计, 提供极高的效率和可靠性。适用于所有功耗约50W的商业和工业应用。
- 先进的工艺技术
- 动态dV/dt额定值
- 完全雪崩认证
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
68A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
115W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
漏源电压, Vds
55V
漏源接通状态电阻
0.011ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.002041

