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IR2136SPBF
MOSFET驱动器, 3相桥, 10V-20V电源, 350 mA和50ohm输出, SOIC-28
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|---|---|
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| 10+ | CNY46.980 (CNY53.0874) |
| 25+ | CNY43.720 (CNY49.4036) |
| 50+ | CNY42.610 (CNY48.1493) |
| 100+ | CNY41.500 (CNY46.895) |
| 250+ | CNY39.600 (CNY44.748) |
| 500+ | CNY38.380 (CNY43.3694) |
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产品信息
产品概述
高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有 3 个独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于三相应用。
- 专为自举操作设计的浮地通道
- 可在高达 +600V 的电压下正常工作
- 耐负瞬态电压，dV/dt 免疫
- 所有通道均具备欠压锁定功能
- 过流关断会关闭所有六个驱动器
- 3个独立的半桥驱动器
- 所有通道的传播延迟均经过匹配
- 防交叉导通逻辑
- 3.3V逻辑兼容
- 更低的 di/dt 栅极驱动，以实现更好的抗干扰能力
警告
市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有变动。产品不享受折扣。
技术规格
通道数
6放大器
驱动配置
3相桥
针脚数
28引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
200mA
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
400ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
IGBT, MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
反相
灌电流
350mA
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
380ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Indonesia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Indonesia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.013608