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IR2109PBF
双路驱动器, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, DIP-8
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| 10+ | CNY21.110 (CNY23.8543) |
| 25+ | CNY18.660 (CNY21.0858) |
| 50+ | CNY18.100 (CNY20.453) |
| 100+ | CNY17.530 (CNY19.8089) |
| 250+ | CNY16.610 (CNY18.7693) |
| 500+ | CNY15.630 (CNY17.6619) |
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多件: 1
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品項附註
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产品概述
高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高、低压侧参考输出通道。
- 浮动通道设计用于自启动操作，可在 +600V 电压下完全工作
- 可承受负瞬态电压 (DV/DT免疫）
- 栅极驱动电源范围为10至20V
- 两个通道的欠压锁定
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- 防交叉导通逻辑
- 两个通道的传播延迟均匹配
- 高侧输出与HIN输入同相
- 逻辑和电源地 ±5V 偏移
- 更低的 di/dt 栅极驱动，提供更好的抗干扰能力
警告
市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有变动。产品不享受折扣。
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
半桥
针脚数
8引脚
芯片安装
通孔安装
拉电流
200mA
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
750ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
IGBT, MOSFET
IC 外壳 / 封装
DIP
输入类型
非反向
灌电流
350mA
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
200ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002419