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IR2106SPBF
双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
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| 10+ | CNY13.110 (CNY14.8143) |
| 50+ | CNY12.470 (CNY14.0911) |
| 100+ | CNY11.820 (CNY13.3566) |
| 250+ | CNY11.280 (CNY12.7464) |
| 500+ | CNY10.980 (CNY12.4074) |
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品項附註
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产品信息
产品概述
- High and low side driver with independent high and low side referenced output channels
- Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction
- Floating channel designed for bootstrap operation fully operational to +600V
- Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune
- Undervoltage lockout for both channels
- 3.3V, 5V and 15V input logic compatible
- Matched propagation delay for both channels
- Logic and power ground +/- 5V offset
- Lower di/dt gate driver for better noise immunity
- Outputs in phase with inputs
警告
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技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
高压侧和低压侧
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
200mA
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
220ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 2 - 1年
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
IGBT, MOSFET
IC 外壳 / 封装
NSOIC
输入类型
非反向
灌电流
350mA
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
200ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001814