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IR2101STRPBF
芯片, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY9.290 | CNY9.29 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.290 (CNY10.4977) |
| 10+ | CNY6.140 (CNY6.9382) |
| 50+ | CNY5.730 (CNY6.4749) |
| 100+ | CNY5.310 (CNY6.0003) |
| 250+ | CNY5.130 (CNY5.7969) |
| 500+ | CNY4.930 (CNY5.5709) |
| 1000+ | CNY4.770 (CNY5.3901) |
| 2500+ | CNY4.610 (CNY5.2093) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IR2101STRPBF复制
库存编号
复卷2296000RL
切割卷带2296000
也称为IR2101STRPBF, SP001547610
技术数据表
通道数2放大器
栅极驱动器类型-
驱动配置高压侧和低压侧
电源开关类型IGBT, MOSFET
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装SOIC
芯片安装表面安装
输入类型非反向
拉电流210mA
灌电流360mA
电源电压最小值10V
电源电压最大值20V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
输入延迟160ns
输出延迟150ns
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 2 - 1年
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
IR2101STRPBF 是一款高压高速功率MOSFET与IGBT驱动器, 具有独立的高压侧和低压侧参考输出通道. 专有的HVIC与闭锁免疫CMOS技术实现了稳定耐用的单片结构. 逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容, 并且兼容3.3V逻辑. 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级, 旨在确保最小的驱动器交叉传导. 浮动通道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT, 高压侧配置下, 工作电压可达600V。
- 可承受负瞬态电压DV/DT免疫
- 欠压锁定
- 两条通道具有匹配的传播延迟
- 输出与输入同相
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
高压侧和低压侧
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
210mA
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
160ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 2 - 1年
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
IGBT, MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
非反向
灌电流
360mA
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
150ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001793