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IQE046N08LM5CGSCATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 99 A, 4000 µohm, WHTFN, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IQE046N08LM5CGSCATMA1
库存编号
复卷4216522RL
切割卷带4216522
产品范围OptiMOS 5 Series
也称为SP005632171
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY30.800 | CNY30.80 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY30.800 (CNY34.804) |
| 10+ | CNY20.160 (CNY22.7808) |
| 100+ | CNY14.090 (CNY15.9217) |
| 500+ | CNY13.080 (CNY14.7804) |
| 1000+ | CNY12.820 (CNY14.4866) |
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IQE046N08LM5CGSCATMA1
库存编号
复卷4216522RL
切割卷带4216522
产品范围OptiMOS 5 Series
也称为SP005632171
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续99A
漏源接通状态电阻4000µohm
晶体管封装类型WHTFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.3V
功率耗散100W
针脚数9引脚
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS 5 Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
99A
晶体管封装类型
WHTFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
100W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
4000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.3V
针脚数
9引脚
产品范围
OptiMOS 5 Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074