IPTG063N15NM5ATMA1

功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 122 A, 5100 µohm, HSOG, 表面安装

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INFINEON IPTG063N15NM5ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 122 A, 5100 µohm, HSOG, 表面安装
INFINEON IPTG063N15NM5ATMA1
INFINEON IPTG063N15NM5ATMA1
制造商INFINEON
制造商产品编号IPTG063N15NM5ATMA1复制
库存编号
复卷4134209RL
切割卷带4134209
产品范围OptiMOS Series
也称为SP005676956, IPTG063N15NM5
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产品信息

  • 制造商INFINEON
    制造商产品编号IPTG063N15NM5ATMA1复制
    库存编号
    复卷4134209RL
    切割卷带4134209
    产品范围OptiMOS Series
    也称为SP005676956, IPTG063N15NM5
    技术数据表
    通道类型N通道
    漏源电压, Vds150V
    电流, Id 连续122A
    漏源接通状态电阻5100µohm
    晶体管封装类型HSOG
    晶体管安装表面安装
    Rds(on)测试电压10V
    阈值栅源电压最大值4.6V
    功率耗散214W
    针脚数8引脚
    工作温度最高值175°C
    产品范围OptiMOS Series
    合规-
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)

技术规格

  • 通道类型

    N通道

    电流, Id 连续

    122A

    晶体管封装类型

    HSOG

    Rds(on)测试电压

    10V

    功率耗散

    214W

    工作温度最高值

    175°C

    合规

    -

    漏源电压, Vds

    150V

    漏源接通状态电阻

    5100µohm

    晶体管安装

    表面安装

    阈值栅源电压最大值

    4.6V

    针脚数

    8引脚

    产品范围

    OptiMOS Series

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

技术文档 1

法律与环境

  • 原产地:
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:
    Malaysia
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号:85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规:

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量(千克):.00454