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IPTG018N10NM5ATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 273 A, 0.0018 ohm, HSOG, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY42.600 (CNY48.138) |
| 10+ | CNY28.960 (CNY32.7248) |
| 100+ | CNY22.920 (CNY25.8996) |
| 500+ | CNY20.500 (CNY23.165) |
| 1000+ | CNY19.350 (CNY21.8655) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY42.60 (CNY48.14 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
273A
晶体管封装类型
HSOG
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
273W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0018ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.8V
针脚数
8引脚
产品范围
OptiMOS 5 Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.015