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IPT65R080CFD7XTMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 34 A, 0.067 ohm, HSOF, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY55.970 | CNY55.97 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY55.970 (CNY63.2461) |
| 10+ | CNY36.710 (CNY41.4823) |
| 100+ | CNY26.960 (CNY30.4648) |
| 500+ | CNY24.000 (CNY27.120) |
| 1000+ | CNY21.250 (CNY24.0125) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
34A
晶体管封装类型
HSOF
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
201W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.067ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
8引脚
产品范围
CoolMOS CFD7 SJ Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074