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IPT025N15NM6ATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 263 A, 2400 µohm, HSOF, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY59.240 (CNY66.9412) |
| 10+ | CNY40.210 (CNY45.4373) |
| 100+ | CNY29.940 (CNY33.8322) |
| 500+ | CNY29.090 (CNY32.8717) |
| 1000+ | CNY28.260 (CNY31.9338) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY59.24 (CNY66.94 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPT025N15NM6ATMA1
库存编号4555819
产品范围OptiMOS 6 Series
也称为IPT025N15NM6, SP005918381
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续263A
漏源接通状态电阻2400µohm
晶体管封装类型HSOF
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压15V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散395W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS 6 Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
IPT025N15NM6ATMA1 是一款 OptiMOS™ 6 功率晶体管。它完全符合 JEDEC 工业应用标准。
- N 沟道，标准级，极低导通电阻 RDS(on)
- 卓越的耐热性
- 100%雪崩测试
- 在 V =0V、I =1mA、Tj =25°C 时，漏极-源极击穿电压为 150V 以上
- 在 V = 15V、I = 120A、Tj = 25°C 时，漏源导通电阻典型值为 1.9mohm
- 在 Tc = 25°C 时，二极管连续正向电流最大为 263A
- 在 V = 0V、V = 75V、f = 1MHz 时，反向传输电容典型值为 25pF
- 在 V =75V、I =60A、V =0 至 10V 时，开关电荷典型值为 38nC
- PG‑HSOF‑8封装
- 工作和存储温度范围为 -55 至 175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
263A
晶体管封装类型
HSOF
Rds(on)测试电压
15V
功率耗散
395W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
2400µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
OptiMOS 6 Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001