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| 10+ | CNY23.840 (CNY26.9392) |
| 100+ | CNY18.660 (CNY21.0858) |
| 500+ | CNY16.530 (CNY18.6789) |
| 1000+ | CNY14.710 (CNY16.6223) |
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最低: 1
多件: 1
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产品概述
The IPP60R165CP is a 650V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate charge. It is designed for hard switching topologies, server and telecom applications.
- Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
- Extreme dV/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Very fast switching
- High current capability
- Significant reduction of conduction and switching losses
- High power density and efficiency for superior power conversion systems
- Best-in-class performance ratio
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
21A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
192W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.15ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
IPP60R165CPXKSA1 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.002008
