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IPP200N15N3GXKSA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-220, 通孔
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产品概述
IPP200N15N3 G是一款150V N沟道功率MOSFET, RDS (导通)降低了40％, 品质因数 (FOM)降低了45％。OptiMOS™ MOSFET具有很高的系统效率和业界最低的RDS (导通)。非常适合高频开关应用和DC-DC转换器应用。
- 优秀的开关性能
- 环保型
- 高效能
- 高功率密度
- 需要较少的并联
- 占用极小的电路板空间
- 易于设计
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
150W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
0.02ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002