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| 10+ | CNY24.760 (CNY27.9788) |
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| 500+ | CNY19.280 (CNY21.7864) |
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多件: 1
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产品概述
IPP030N10N3 G 是一款100V N沟道功率MOSFET, 适用于高效率高功率密度SMPS应用。与其他晶体管相比, 这款MOSFET的RDS (导通)和FOM (品质因数)均降低了30%。OptiMOS™ MOSFET具有业界超低的RDS (on)。该器件非常适合高频开关应用, 以及DC-DC转换器。
- 优秀的开关性能
- 环保型
- 高效能
- 高功率密度
- 需要较少的并联
- 占用极小的电路板空间
- 易于设计
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
300W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
2600µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
2.7V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
IPP030N10N3GXKSA1 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.003184
