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IPG20N10S436AATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.036 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY16.530 | CNY16.53 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY16.530 (CNY18.6789) |
| 10+ | CNY10.520 (CNY11.8876) |
| 100+ | CNY7.050 (CNY7.9665) |
| 500+ | CNY5.690 (CNY6.4297) |
| 1000+ | CNY4.780 (CNY5.4014) |
| 5000+ | CNY4.540 (CNY5.1302) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPG20N10S436AATMA1
库存编号
复卷3227664RL
切割卷带3227664
也称为IPG20N10S4-36A, SP001102930
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道100V
连续漏极电流 Id N沟道20A
连续漏极电流 Id P沟道20A
漏源通态电阻N沟道0.036ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型TDSON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道43W
耗散功率P沟道43W
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS-T2 Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id P沟道
20A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
43W
产品范围
OptiMOS-T2 Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
漏源通态电阻N沟道
0.036ohm
晶体管封装类型
TDSON
耗散功率N沟道
43W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000172