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IPG20N06S4L26AATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.026 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY14.200 | CNY14.20 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY14.200 (CNY16.046) |
| 10+ | CNY8.930 (CNY10.0909) |
| 100+ | CNY5.850 (CNY6.6105) |
| 500+ | CNY4.650 (CNY5.2545) |
| 1000+ | CNY3.890 (CNY4.3957) |
| 5000+ | CNY3.510 (CNY3.9663) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPG20N06S4L26AATMA1
库存编号
复卷2803398RL
切割卷带2803398
也称为IPG20N06S4L-26A, SP001023848
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道20A
连续漏极电流 Id P沟道20A
漏源通态电阻N沟道0.026ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型TDSON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道33W
耗散功率P沟道33W
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS T2 Series
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
20A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
33W
产品范围
OptiMOS T2 Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
漏源通态电阻N沟道
0.026ohm
晶体管封装类型
TDSON
耗散功率N沟道
33W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Austria
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Austria
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000292