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IPG20N06S4L14ATMA2
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 60 V, 20 A, 0.0137 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY12.320 (CNY13.9216) |
| 10+ | CNY9.040 (CNY10.2152) |
| 100+ | CNY6.470 (CNY7.3111) |
| 500+ | CNY5.190 (CNY5.8647) |
| 1000+ | CNY4.610 (CNY5.2093) |
| 5000+ | CNY4.020 (CNY4.5426) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY12.32 (CNY13.92 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
OptiMOS T2 Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
漏源通态电阻N沟道
0.0137ohm
晶体管封装类型
TDSON
耗散功率N沟道
50W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.015