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IPG20N06S2L50AATMA1
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 55 V, 20 A, 0.05 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
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| 1+ | CNY11.870 (CNY13.4131) |
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| 100+ | CNY5.090 (CNY5.7517) |
| 500+ | CNY4.010 (CNY4.5313) |
| 1000+ | CNY3.650 (CNY4.1245) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPG20N06S2L50AATMA1复制
库存编号5070560
产品范围OptiMOS Series
技术数据表
通道类型双N通道
漏源电压Vds N沟道55V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道20A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.05ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型TDSON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道51W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
OptiMOS Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压Vds N沟道
55V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
漏源通态电阻N沟道
0.05ohm
晶体管封装类型
TDSON
耗散功率N沟道
51W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Austria
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Austria
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.015