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IPG20N04S4L11ATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0116 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY14.100 | CNY14.10 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY14.100 (CNY15.933) |
| 10+ | CNY9.000 (CNY10.170) |
| 100+ | CNY6.030 (CNY6.8139) |
| 500+ | CNY4.760 (CNY5.3788) |
| 1000+ | CNY4.030 (CNY4.5539) |
| 5000+ | CNY3.770 (CNY4.2601) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPG20N04S4L11ATMA1复制
库存编号
复卷2443439RL
切割卷带2443439
也称为IPG20N04S4L-11, SP000705564
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道20A
连续漏极电流 Id P沟道20A
漏源通态电阻N沟道0.0116ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型TDSON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道41W
耗散功率P沟道41W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
20A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
41W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
漏源通态电阻N沟道
0.0116ohm
晶体管封装类型
TDSON
耗散功率N沟道
41W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003