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IPF013N04NF2SATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 232 A, 1080 µohm, TO-263, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY25.900 | CNY25.90 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY25.900 (CNY29.267) |
| 10+ | CNY16.920 (CNY19.1196) |
| 100+ | CNY11.820 (CNY13.3566) |
| 500+ | CNY9.150 (CNY10.3395) |
| 1000+ | CNY8.970 (CNY10.1361) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
232A
晶体管封装类型
TO-263
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
188W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
1080µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.4V
针脚数
7引脚
产品范围
StrongIRFET 2 Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001