打印页面
IPD70N10S3L12ATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 70 A, 0.0115 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
492 有货
需要更多？
492 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY23.700 (CNY26.781) |
| 50+ | CNY20.920 (CNY23.6396) |
| 100+ | CNY18.130 (CNY20.4869) |
| 500+ | CNY15.170 (CNY17.1421) |
| 1000+ | CNY13.040 (CNY14.7352) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY118.50 (CNY133.90 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
IPD70N10S3L12ATMA1 的替代之选
找到 1 件产品
产品概述
The IPD70N10S3L-12 is a N-channel enhancement-mode MOSFET with low switching and conduction power losses for highest thermal efficiency.
- AEC-Q101 qualified
- MSL1 up to 260°C peak reflow
- Green device
- 100% Avalanche tested
- Robust packages with superior quality and reliability
- Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
70A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
125W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0115ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003