IPD70N03S4L04ATMA1

功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 70 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), 表面安装

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INFINEON IPD70N03S4L04ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 70 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD70N03S4L04ATMA1复制
库存编号
复卷2480836RL
切割卷带2480836
也称为IPD70N03S4L-04, SP000274986
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产品信息

  • 制造商INFINEON
    制造商产品编号IPD70N03S4L04ATMA1复制
    库存编号
    复卷2480836RL
    切割卷带2480836
    也称为IPD70N03S4L-04, SP000274986
    技术数据表
    通道类型N通道
    漏源电压, Vds30V
    电流, Id 连续70A
    漏源接通状态电阻3600µohm
    晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
    晶体管安装表面安装
    Rds(on)测试电压10V
    阈值栅源电压最大值1.5V
    功率耗散68W
    针脚数3引脚
    工作温度最高值175°C
    产品范围-
    合规AEC-Q101
    湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)

产品概述

  • 警告

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技术规格

  • 通道类型

    N通道

    电流, Id 连续

    70A

    晶体管封装类型

    TO-252 (DPAK)

    Rds(on)测试电压

    10V

    功率耗散

    68W

    工作温度最高值

    175°C

    合规

    AEC-Q101

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

    漏源电压, Vds

    30V

    漏源接通状态电阻

    3600µohm

    晶体管安装

    表面安装

    阈值栅源电压最大值

    1.5V

    针脚数

    3引脚

    产品范围

    -

    湿气敏感性等级

    MSL 1 -无限制

法律与环境

  • 原产地:
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:
    Malaysia
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号:85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规:

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量(千克):.000503