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IPD30N08S222ATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 75 V, 30 A, 0.0215 ohm, TO-252, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY17.570 (CNY19.8541) |
| 10+ | CNY11.720 (CNY13.2436) |
| 100+ | CNY8.910 (CNY10.0683) |
| 500+ | CNY7.320 (CNY8.2716) |
| 1000+ | CNY6.390 (CNY7.2207) |
| 5000+ | CNY5.930 (CNY6.7009) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY17.57 (CNY19.85 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
30A
晶体管封装类型
TO-252
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
136W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
75V
漏源接通状态电阻
0.0215ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
OptiMOS Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Austria
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Austria
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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产品合规证书
重量（千克）：.015