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IPD200N15N3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD200N15N3GATMA1复制
制造商标准货期31 周
库存编号
复卷1775587RL
切割卷带1775587
也称为IPD200N15N3 G, SP001127820
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY13.640 | CNY68.20 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY13.640 (CNY15.4132) |
| 50+ | CNY11.970 (CNY13.5261) |
| 100+ | CNY10.290 (CNY11.6277) |
| 500+ | CNY8.470 (CNY9.5711) |
| 1000+ | CNY8.090 (CNY9.1417) |
品項附註
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产品概述
The IPD200N15N3 G is a 150V N-channel Power MOSFET that achieves a reduction in RDS (on) of 40% and of 45% in Figure of Merit (FOM). The OptiMOS™ MOSFET offers high system efficiency and industry's lowest RDS (on) within the voltage classes. It is ideally suited for high frequency switching applications and optimized technology for DC-DC converters.
- Excellent switching performance
- Environmentally-friendly
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy to design
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
150W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
0.02ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
IPD200N15N3GATMA1 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002