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IPD135N03LGATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 A, 0.0135 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD135N03LGATMA1复制
制造商标准货期47 周
库存编号
复卷2480822RL
切割卷带2480822
也称为IPD135N03L G, SP000796912
您的零件号
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY5.530 | CNY27.65 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.530 (CNY6.2489) |
| 50+ | CNY4.580 (CNY5.1754) |
| 100+ | CNY3.630 (CNY4.1019) |
| 500+ | CNY2.810 (CNY3.1753) |
| 1000+ | CNY2.540 (CNY2.8702) |
品項附註
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产品概述
The IPD135N03L G is a N-channel MOSFET Transistor with low on resistance and Halogen free.
- Ultra low gate and output charge
- Increased battery lifetime
- Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
- Reducing power losses
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
30A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
31W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.0135ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
IPD135N03LGATMA1 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00143