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IPD122N10N3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY7.240 (CNY8.1812) |
| 50+ | CNY6.640 (CNY7.5032) |
| 100+ | CNY6.030 (CNY6.8139) |
| 500+ | CNY4.980 (CNY5.6274) |
| 1000+ | CNY4.730 (CNY5.3449) |
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最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD122N10N3GATMA1
库存编号2443393
也称为IPD122N10N3 G, SP001127828
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续59A
漏源接通状态电阻0.0122ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.7V
功率耗散94W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
- OptiMOS®3 power transistorIdeal for high frequency switching and synchronous rectification
- N-channel, normal level
- Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance R DS(on)
- Qualified according to JEDEC for target application
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
59A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
94W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0122ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.7V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003