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IPD068N10N3GATMA1

Name: INFINEON IPD068N10N3GATMA1
Brand: INFINEON
SKU: 2480817
Availability: InStock

功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 90 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), 表面安装

图片仅用于图解说明，详见产品说明。

INFINEON IPD068N10N3GATMA1 功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 90 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), 表面安装

制造商INFINEON

制造商产品编号IPD068N10N3GATMA1复制

制造商标准货期42 周

库存编号2480817

也称为IPD068N10N3 G, SP001127816

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100+	CNY8.010 (CNY9.0513)
500+	CNY7.340 (CNY8.2942)
1000+	CNY7.200 (CNY8.136)

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产品信息

制造商INFINEON

制造商产品编号IPD068N10N3GATMA1复制

制造商标准货期42 周

库存编号2480817

也称为IPD068N10N3 G, SP001127816

技术数据表

Data Sheet

通道类型N通道

漏源电压, Vds100V

电流, Id 连续90A

漏源接通状态电阻6800µohm

晶体管封装类型TO-252 (DPAK)

晶体管安装表面安装

Rds(on)测试电压10V

阈值栅源电压最大值2.7V

功率耗散150W

针脚数3引脚

工作温度最高值175°C

产品范围-

合规-

湿气敏感性等级MSL 1 -无限制

SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)

产品概述

The IPD068N10N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers superior solutions for high efficiency and high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS (ON) and FOM (figure of merit).

Excellent switching performance
World's lowest RDS (ON)
Very low Qg and Qgd
Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
Halogen-free, Green device
Environmentally friendly
Increased efficiency
Highest power density
Less paralleling required
Smallest board-space consumption
Easy-to-design products
Normal level
Qualified according to JEDEC for target application
Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

技术规格

通道类型

N通道

电流, Id 连续

90A

晶体管封装类型

TO-252 (DPAK)

Rds(on)测试电压

10V

功率耗散

150W

工作温度最高值

175°C

合规

SVHC(高度关注物质)

No SVHC (25-Jun-2025)

漏源电压, Vds

100V

漏源接通状态电阻

6800µohm

晶体管安装

表面安装

阈值栅源电压最大值

2.7V

针脚数

3引脚

产品范围

湿气敏感性等级

MSL 1 -无限制

技术文档 (1)

IPD068N10N3GATMA1 Data Sheet