打印页面
IPD048N06L3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 90 A, 0.0048 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
2,500 有货
需要更多？
2,500 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY16.830 (CNY19.0179) |
| 10+ | CNY11.220 (CNY12.6786) |
| 100+ | CNY8.530 (CNY9.6389) |
| 500+ | CNY7.020 (CNY7.9326) |
| 1000+ | CNY6.130 (CNY6.9269) |
| 5000+ | CNY5.680 (CNY6.4184) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY16.83 (CNY19.02 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD048N06L3GATMA1复制
制造商标准货期18 周
库存编号4853889
产品范围OptiMOS 3 Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续90A
漏源接通状态电阻0.0048ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.2V
功率耗散115W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS 3 Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
90A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
115W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.0048ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.2V
针脚数
3引脚
产品范围
OptiMOS 3 Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.015