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IPD034N06N3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 100 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD034N06N3GATMA1复制
制造商标准货期23 周
库存编号
复卷2443392RL
切割卷带2443392
也称为IPD034N06N3 G, SP000451070
您的零件号
3,829 有货
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY12.610 | CNY63.05 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY12.610 (CNY14.2493) |
| 50+ | CNY10.610 (CNY11.9893) |
| 100+ | CNY8.610 (CNY9.7293) |
| 500+ | CNY6.820 (CNY7.7066) |
| 1000+ | CNY6.260 (CNY7.0738) |
品項附註
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产品概述
The IPD034N06N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). It can be used for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Very low ON-resistance RDS (ON)
- Ideal for fast switching applications
- MSL1 rated
- Highest system efficiency
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Optimized technology for DC-to-DC converters
- Normal level
- 100% Avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Green device
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
167W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
3400µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
IPD034N06N3GATMA1 的替代之选
找到 5 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003