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IPB80P04P405ATMA1
功率场效应管, MOSFET, P通道, 40 V, 80 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IPB80P04P405ATMA1复制
库存编号
复卷2839455RL
切割卷带2839455
产品范围OptiMOS P2
也称为IPB80P04P4-05, SP000652618
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPB80P04P405ATMA1复制
库存编号
复卷2839455RL
切割卷带2839455
产品范围OptiMOS P2
也称为IPB80P04P4-05, SP000652618
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续80A
漏源接通状态电阻3700µohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散125W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS P2
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2018)
IPB80P04P405ATMA1 的替代之选
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产品概述
警告
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技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
80A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
125W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2018)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
3700µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
OptiMOS P2
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002018