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IPB80N06S209ATMA2
功率场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 80 A, 8800 µohm, TO-263, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY19.760 (CNY22.3288) |
| 10+ | CNY13.430 (CNY15.1759) |
| 100+ | CNY10.630 (CNY12.0119) |
| 500+ | CNY9.510 (CNY10.7463) |
| 1000+ | CNY8.980 (CNY10.1474) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY19.76 (CNY22.33 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
80A
晶体管封装类型
TO-263
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
190W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
55V
漏源接通状态电阻
8800µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
OptiMOS Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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产品合规证书
重量（千克）：.015