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IPB65R099CFD7AATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
611 有货
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY44.550 | CNY44.55 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY44.550 (CNY50.3415) |
| 10+ | CNY29.850 (CNY33.7305) |
| 100+ | CNY21.480 (CNY24.2724) |
| 500+ | CNY21.250 (CNY24.0125) |
| 1000+ | CNY18.700 (CNY21.131) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
24A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
127W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.082ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
3引脚
产品范围
CoolMOS CFD7A Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001