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IPB600N25N3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY29.170 | CNY29.17 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY29.170 (CNY32.9621) |
| 10+ | CNY19.020 (CNY21.4926) |
| 50+ | CNY14.910 (CNY16.8483) |
| 200+ | CNY13.750 (CNY15.5375) |
| 500+ | CNY12.580 (CNY14.2154) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPB600N25N3GATMA1
库存编号
复卷2443388RL
切割卷带2443388
也称为IPB600N25N3 G, SP000676408
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds250V
电流, Id 连续25A
漏源接通状态电阻0.06ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散136W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The IPB600N25N3 G is a N-channel Power MOSFET produce based on OptiMOS™ leading benchmark technology. It is perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-to-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters.
- Industry's lowest RDS (ON)
- Lowest Qg and Qgd
- World's lowest FOM, MSL 1 rated
- Highest efficiency
- Highest Power density
- Minimal device paralleling required
- Environmentally friendly
- Easy-to-design-in products
- Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free, Green device
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
25A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
136W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
250V
漏源接通状态电阻
0.06ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00181