打印页面
IPB180N04S4LH0ATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
可订购
在此登记您的兴趣
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY27.720 (CNY31.3236) |
| 10+ | CNY18.210 (CNY20.5773) |
| 100+ | CNY13.680 (CNY15.4584) |
| 500+ | CNY12.140 (CNY13.7182) |
| 1000+ | CNY10.780 (CNY12.1814) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY27.72 (CNY31.32 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
180A
晶体管封装类型
TO-263
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
250W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
1000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.2V
针脚数
7引脚
产品范围
OptiMOS T2 Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.015