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IPB029N06N3GE8187ATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 120 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY21.150 (CNY23.8995) |
| 10+ | CNY14.420 (CNY16.2946) |
| 100+ | CNY11.360 (CNY12.8368) |
| 500+ | CNY10.180 (CNY11.5034) |
| 1000+ | CNY9.650 (CNY10.9045) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPB029N06N3GE8187ATMA1复制
库存编号4853937
产品范围OptiMOS 3 Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续120A
漏源接通状态电阻0.0029ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散188W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS 3 Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
120A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
188W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.0029ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
OptiMOS 3 Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.015