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IPB026N10NF2SATMA1

功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 162 A, 2200 µohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装

INFINEON
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
INFINEON IPB026N10NF2SATMA1
制造商INFINEON
制造商产品编号IPB026N10NF2SATMA1
库存编号
复卷4134224RL
切割卷带4134224
产品范围StronglRFET Series
也称为SP005571706, IPB026N10NF2S
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切割卷带1CNY36.180CNY36.18
合计 价钱 (含税) CNY36.18 (CNY40.88)
切割卷带 & 复卷
数量价钱 (含税)
1+CNY36.180 (CNY40.8834)
10+CNY24.000 (CNY27.120)
100+CNY16.990 (CNY19.1987)
500+CNY14.100 (CNY15.933)
1000+CNY13.820 (CNY15.6166)
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  • INFINEON
    制造商INFINEON
    制造商产品编号IPB026N10NF2SATMA1
    库存编号
    复卷4134224RL
    切割卷带4134224
    产品范围StronglRFET Series
    也称为SP005571706, IPB026N10NF2S
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型N通道
    漏源电压, Vds100V
    电流, Id 连续162A
    漏源接通状态电阻2200µohm
    晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
    晶体管安装表面安装
    Rds(on)测试电压10V
    阈值栅源电压最大值3.8V
    功率耗散250W
    针脚数3引脚
    工作温度最高值175°C
    产品范围StronglRFET Series
    合规-
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
  • 通道类型

    N通道

    电流, Id 连续

    162A

    晶体管封装类型

    TO-263 (D2PAK)

    Rds(on)测试电压

    10V

    功率耗散

    250W

    工作温度最高值

    175°C

    合规

    -

    漏源电压, Vds

    100V

    漏源接通状态电阻

    2200µohm

    晶体管安装

    表面安装

    阈值栅源电压最大值

    3.8V

    针脚数

    3引脚

    产品范围

    StronglRFET Series

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    China
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.00175