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IPB023N03LF2SATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 119 A, 2350 µohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY21.290 (CNY24.0577) |
| 10+ | CNY13.860 (CNY15.6618) |
| 100+ | CNY9.540 (CNY10.7802) |
| 500+ | CNY6.850 (CNY7.7405) |
| 1000+ | CNY6.720 (CNY7.5936) |
| 5000+ | CNY6.710 (CNY7.5823) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY21.29 (CNY24.06 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
119A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
107W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
2350µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.35V
针脚数
3引脚
产品范围
StrongIRFET 2 Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001