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产品概述
The IPA65R190C7 is a N-channel power MOSFET with 650VDS drain source voltage. Infineon's new CoolMOS™ C7 series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds' lowest RDS (ON) and thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.
- Revolutionary Best-in-class RDS (ON)
- Reduced energy stored in output capacitance (Eoss)
- Lower gate charge Qg
- Space saving through use of smaller packages or reduction of parts
- Improved safety margin and suitable for both SMPS and Solar Inverter applications
- Lowest conduction losses/package
- Low switching losses
- Better light load efficiency
- Increasing power density
- Outstanding CoolMOS™ quality
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
8A
晶体管封装类型
TO-220FP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
30W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.168ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
IPA65R190C7XKSA1 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000006
