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IMZA75R090M1HXKSA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 23 A, 750 V, 0.083 ohm, TO-247
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMZA75R090M1HXKSA1
库存编号4377085
产品范围CoolSiC Gen 1 Series
也称为IMZA75R090M1H, SP005970680
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY54.370 (CNY61.4381) |
| 10+ | CNY31.380 (CNY35.4594) |
| 100+ | CNY26.730 (CNY30.2049) |
| 500+ | CNY26.200 (CNY29.606) |
| 1000+ | CNY25.670 (CNY29.0071) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMZA75R090M1HXKSA1
库存编号4377085
产品范围CoolSiC Gen 1 Series
也称为IMZA75R090M1H, SP005970680
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续23A
漏源电压, Vds750V
漏源接通状态电阻0.083ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值5.6V
功率耗散113W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Gen 1 Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
23A
漏源接通状态电阻
0.083ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
750V
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
113W
产品范围
CoolSiC Gen 1 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.008172