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IMZA120R053M2HXKSA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 38 A, 1.2 kV, 0.069 ohm, TO-247
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMZA120R053M2HXKSA1复制
库存编号4717039
产品范围CoolSiC Series
也称为SP006133752, IMZA120R053M2H
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|---|---|
| 1+ | CNY79.360 (CNY89.6768) |
| 5+ | CNY63.150 (CNY71.3595) |
| 10+ | CNY46.940 (CNY53.0422) |
| 50+ | CNY44.510 (CNY50.2963) |
| 100+ | CNY42.080 (CNY47.5504) |
| 250+ | CNY39.650 (CNY44.8045) |
包装规格：每个
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多件: 1
CNY79.36 (CNY89.68 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMZA120R053M2HXKSA1复制
库存编号4717039
产品范围CoolSiC Series
也称为SP006133752, IMZA120R053M2H
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续38A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.069ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.1V
功率耗散182W
工作温度最高值150°C
产品范围CoolSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
38A
漏源接通状态电阻
0.069ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
5.1V
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
182W
产品范围
CoolSiC Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001