打印页面
IMZA120R030M1HXKSA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 70 A, 1.2 kV, 0.0409 ohm, TO-247
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMZA120R030M1HXKSA1
库存编号4376969
产品范围CoolSiC Trench Series
也称为IMZA120R030M1H, SP005425985
您的零件号
446 有货
需要更多？
446 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY124.780 (CNY141.0014) |
| 5+ | CNY100.960 (CNY114.0848) |
| 10+ | CNY77.130 (CNY87.1569) |
| 50+ | CNY76.640 (CNY86.6032) |
| 100+ | CNY76.140 (CNY86.0382) |
| 250+ | CNY74.620 (CNY84.3206) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY124.78 (CNY141.00 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMZA120R030M1HXKSA1
库存编号4376969
产品范围CoolSiC Trench Series
也称为IMZA120R030M1H, SP005425985
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续70A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.0409ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.2V
功率耗散273W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Trench Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
IMZA120R030M1HXKSA1 是一款 CoolSiC™ 1200V SiC 沟槽式 MOSFET。适用于通用驱动器 (GPD)、电动汽车充电、在线 UPS/工业 UPS、组串逆变器和太阳能电源优化器等应用。
- 采用 .XT 互联技术的碳化硅 MOSFET
- 在Tvj = 25°C 时，电压为 1200V VDSS，在Tc = 25°C 时电流为 70A IDDC
- 在 VGS = 18V、Tvj = 25°C 时，RDS（on）= 30 mohm
- 非常低的开关损耗
- 短路耐受时间 3µs
- 基准栅极阈值电压 VGS(th) = 4.2V
- 可防止寄生导通，栅极关断电压为 0V
- 坚固的体二极管可实现硬换向
- 采用 XT 互连技术，具有同类最佳的散热性能
- 4 引脚 TO-247 封装，虚拟结温范围为 -55 至 175°C
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
70A
漏源接通状态电阻
0.0409ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
5.2V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
273W
产品范围
CoolSiC Trench Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.008165