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IMZA120R026M2HXKSA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 69 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-247
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMZA120R026M2HXKSA1复制
库存编号4717036
产品范围CoolSiC Series
也称为SP006133742, IMZA120R026M2H
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|---|---|
| 1+ | CNY113.750 (CNY128.5375) |
| 5+ | CNY91.520 (CNY103.4176) |
| 10+ | CNY69.290 (CNY78.2977) |
| 50+ | CNY65.640 (CNY74.1732) |
| 100+ | CNY61.980 (CNY70.0374) |
| 250+ | CNY60.750 (CNY68.6475) |
包装规格：每个
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多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMZA120R026M2HXKSA1复制
库存编号4717036
产品范围CoolSiC Series
也称为SP006133742, IMZA120R026M2H
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续69A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.034ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.1V
功率耗散289W
工作温度最高值150°C
产品范围CoolSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
69A
漏源接通状态电阻
0.034ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
5.1V
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
289W
产品范围
CoolSiC Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001