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IMZA120R012M2HXKSA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 129 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMZA120R012M2HXKSA1
库存编号4717033
产品范围CoolSiC Series
也称为SP006133730, IMZA120R012M2H
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|---|---|
| 1+ | CNY183.780 (CNY207.6714) |
| 5+ | CNY156.840 (CNY177.2292) |
| 10+ | CNY129.890 (CNY146.7757) |
| 50+ | CNY127.300 (CNY143.849) |
| 100+ | CNY124.700 (CNY140.911) |
| 250+ | CNY122.100 (CNY137.973) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMZA120R012M2HXKSA1
库存编号4717033
产品范围CoolSiC Series
也称为SP006133730, IMZA120R012M2H
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续129A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.016ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.1V
功率耗散480W
工作温度最高值150°C
产品范围CoolSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
129A
漏源接通状态电阻
0.016ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
5.1V
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
480W
产品范围
CoolSiC Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001