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制造商INFINEON
制造商产品编号IMZ120R030M1HXKSA1
库存编号3223684
产品范围CoolSiC
也称为IMZ120R030M1H, SP001727394
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY116.870 (CNY132.0631) |
| 5+ | CNY94.830 (CNY107.1579) |
| 10+ | CNY72.790 (CNY82.2527) |
| 50+ | CNY71.340 (CNY80.6142) |
| 100+ | CNY71.190 (CNY80.4447) |
| 250+ | CNY71.180 (CNY80.4334) |
包装规格:每个
最低: 1
多件: 1
CNY116.87 (CNY132.06 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMZ120R030M1HXKSA1
库存编号3223684
产品范围CoolSiC
也称为IMZ120R030M1H, SP001727394
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续56A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.03ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散227W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
56A
漏源接通状态电阻
0.03ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
4.5V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
227W
产品范围
CoolSiC
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.008211
