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IMW65R050M2HXKSA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMW65R050M2HXKSA1复制
制造商标准货期88 周
库存编号4378742
产品范围CoolSiC Gen 2 Series
也称为IMW65R050M2H, SP005917213
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY68.830 (CNY77.7779) |
| 5+ | CNY56.500 (CNY63.845) |
| 10+ | CNY44.170 (CNY49.9121) |
| 50+ | CNY41.580 (CNY46.9854) |
| 100+ | CNY38.990 (CNY44.0587) |
| 250+ | CNY35.260 (CNY39.8438) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY68.83 (CNY77.78 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMW65R050M2HXKSA1复制
制造商标准货期88 周
库存编号4378742
产品范围CoolSiC Gen 2 Series
也称为IMW65R050M2H, SP005917213
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续38A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.046ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压20V
阈值栅源电压最大值5.6V
功率耗散153W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Gen 2 Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
38A
漏源接通状态电阻
0.046ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
153W
产品范围
CoolSiC Gen 2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.008244